رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TSM2N100CP ROG
Product Overview
المُصنّع:
Taiwan Semiconductor Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
TSM2N100CP ROG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 1.85A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
المخزون:
12897073
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TSM2N100CP ROG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.85A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.5Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
625 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
77W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252 (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
TSM2N100
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
TSM2N100CP ROGDKR-DG
TSM2N100CPROGDKR
TSM2N100CP ROGTR-DG
TSM2N100CP ROGCT-DG
TSM2N100CP ROGDKR
TSM2N100CP ROGCT
TSM2N100CPROGCT
TSM2N100CP ROGTR
TSM2N100CPROGTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTY1R6N100D2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTY1R6N100D2-DG
سعر الوحدة
1.54
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMPH1006UPS-13
MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8
TSM60N900CH C5G
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251
DMT6009LFG-13
MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
